憶阻器基礎研究測試方案
憶阻器基礎研究測試方案
高性價比測試方案
極端化表征測試方案
（二）憶阻器性能研究測試
憶阻器性能研究測試流程如下：
非易失存儲器性能研究是通過測試憶阻器的循環(huán)次數(shù)或耐久力（Endurance）和數(shù)據(jù)保留時間（Data Retention）來實現(xiàn)。在循環(huán)次數(shù)和耐久力測試中，電阻測試通常由帶脈沖功能的半導體參數(shù)測試儀完成，由于被測樣品數(shù)量多，耗時長，需要編程進行自動化測試。極端化表征情況下，SET/ RESET 脈沖由高速任意波發(fā)生器產(chǎn)生。
如果憶阻器被用于神經(jīng)元方面的研究，其性能測試除了擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保留時間外，還需要進行神經(jīng)突觸阻變動力學測試。突觸可塑性是大腦記憶和學習的神經(jīng)生物學基礎，有很多種形式。按記憶的時間長短可分為短時程可塑性 (STP)和長時程可塑性 (LTP)，其中短時程可塑性包括雙脈沖抑制 (PPD)、雙脈沖易化 (PPF)、強直后增強 (PTP)。此外還有一些其他的可塑性, 如: 放電速率依賴可塑性 (SRDP)、放電時間依賴可塑性 (STDP)等，它們是突觸進行神經(jīng)信號處理、神經(jīng)計算的基礎。
憶阻器的導電態(tài)可以用來表示突觸權重的變化，通過改變刺激脈沖電壓的形狀、頻率、持續(xù)時間等參數(shù)來模擬不同突觸功能相應的神經(jīng)刺激信號的特點，測量瞬態(tài)電流可以了解阻變動力學過程，獲得神經(jīng)形態(tài)特性的調(diào)控方法。同循環(huán)次數(shù)和耐久力測試相同，需要對帶脈沖功能的半導體參數(shù)測試儀或高速任意波發(fā)生器編程產(chǎn)生相應的脈沖序列，進行自動化測試。
憶阻器性能研究測試方案
